合肥长鑫最新消息（国产内存传好消息合肥长鑫加码扩产）

存储器是半导体行业的一大分支，几乎人们常见的电子设备都需要用到存储器。存储器芯片的应用领域十分广泛。在全球半导体总产值中，存储器就占到三分之一左右。存储器主要分为易失存储器和非易失存储器，前者包括DRAM和SRAM，后者主要包括NAND Flash和NOR Flash。其中，DRAM内存和NAND闪存可说是存储器领域的两大支柱产业。以2018年时的数据为例，当时DRAM内存占整个存储器市场的58%，NAND闪存则占40%。

此外，DRAM厂商也已从过去的“百花齐放”逐步演进到了目前的“三足鼎立”格局——全球DRAM存储器市场高度集中于三星、海力士和美光三家大厂，三家大厂共占得了95%左右的市场份额。根据TrendForce集邦咨询的统计，即便是在最新的2021年第一季度，三星、海力士和美光在市场上的份额分别为42.0%、29.0%和23.1%。

在半导体国产化大潮下，存储器肯定是一大重点。而长鑫存储和长江存储显然是国产存储器领域的两个排头兵，在业界持续受人关注。长鑫存储量产DDR4内存打破国产零记录，长江存储4年三级跳赶上主流百层NAND闪存，追赶与并肩，被海外企业垄断的存储市场正不断涌现“中国厂商身影”。恰逢全球存储市场景气高企的周期，量价齐升背景下，存储芯片国产化进程更是引起一片聚焦。

就在近日，国产DRAM存储器之光长鑫存储第二期12寸厂房举行了奠基仪式。据悉，这座新厂房是为将来进入1y nm以下工艺节点（接近15nm工艺）所做的前期准备。长鑫存储晶圆制造基地项目共分为三期建设三座12寸DRAM存储器晶圆厂，打造集研发、生产和销售于一身的存储器IDM国产化基地，预计三期满产后产能可达36万片/月。

2017年3月，长鑫存储项目一期开工建设；2018年1月，厂房建设完成，开始设备搬入，并且陆续完成安装和验机，创下同期芯片先进制造厂最快速度；2018年7月，一期开始工艺投片验证；2019年9月，长鑫存储宣布自主研发的8Gb DDR4正式量产，采用19nm工艺打造，继而成为国内首个国产内存供应商，打破国产DRAM内存芯片过去“零”的纪录。此次长鑫二期项目奠基，表明已经吹响了下一个工艺节点的号角。

根据长鑫存储官网介绍，公司产品目前已有DDR4内存芯片、LPDDR4X内存芯片和DDR4模组。

DDR4内存芯片是第四代双倍速率同步动态随机存储器。相较于上一代DDR3内存芯片, DDR4内存芯片拥有更快的数据传输速率、更稳定的性能和更低的能耗。长鑫存储自主研发的DDR4 内存芯片满足市场主流需求，可应用于台式机、笔记本、服务器、消费电子类产品等领域。

LPDDR4X内存芯片为第四代超低功耗双倍速率同步动态随机存储器, 采用了LVSTL的低功耗接口及多项降低功耗的设计。在高速传输上, LPDDR4X内存芯片相较于第三代有着更优越出色的低耗表现，服务于性能更高、功耗更低的移动设备。

DDR4模组是第四代高速模组，相较于DDR3模组，性能和带宽显著提升，最高速率可达3200Mbps。 DDR4模组是目前内存市场主流产品，可服务于个人电脑和服务器等传统市场，以及人工智能和物联网等新兴市场。

值得补充的是，在技术上，DARM分为DDR系列、LPDDR系列、GDDR系列和HBM系列。DDR是内存模块中使输出增加一倍的技术，在当前内存技术领域占据主流；而LPDDR指的是低功耗双倍数据传输率，目的是为降低存储器功耗。

根据长鑫存储在此前的技术路线图，DRAM芯片自主研发之路是从19nm（10G1工艺）切入，2019年19nm DDR4、LPDDR4存储芯片陆续量产，当前正在研发17nm（10G3工艺），中间跳过10G2工艺，之后拟发10G4工艺节点（接近国际大厂15nm/1ynm工艺）。此外，据市场消息称，长鑫将在2021年完成17nm工艺DDR5和LPDDR5的研发。按照国际大厂在DRAM工艺技术上的推进计划，10nm级工艺经历两次技术迭代，最初为1x nm，介于17~19nm之间；1y nm在14~16nm之间，最新的1z nm在11~13nm之间。

历经2019年内存市场“崩盘”，近来随着半导体产业进入超级循环周期，存储器市况也一同进入上升周期。事实上，去年以来，5G、消费电子、物联网等市场快速发展，加之疫情下在线工作/学习模式兴起，存储需求大幅拉高，推动存储器产业持续成长。

供需缺口拉大下，存储芯片一路上涨。其中，2021年第二季度DRAM报价涨幅已进入全年峰值，从4月至6月累计涨幅将达到20~25%。根据TrendForce预测，存储器原厂库存偏低，DRAM原厂平均库存仅3~4周，预估2021年第三季度整体DRAM价格将续涨约3~8%。IC Insights也上调对产值预估，预期全年将成长41%，而且看好下半年价格继续上涨。

DRAM市况进入上升周期，在整体供货短缺下，国内对DRAM国产化需求自然就更为迫切，而大厂如长鑫存储正在加大马力提升产能。此前，据合肥产投集团消息称，截至2020年底，长鑫存储12寸存储器晶圆制造基地项目提前达到4万片/月产能，开始启动6万片/月产能建设，实现从投产到量产再到批量销售的关键跨越。

从合肥长鑫迅猛提升的投片量也可看出，长鑫对冲刺DRAM市场的积极性。2020年第一季度，长鑫投片量为1万片/月，而到了第四季度，快速提升至4.5万片/月，TrendForce甚至预估，长鑫存储2021年四季度投片量将达8.5万片/月。

市场前景可期，业界预期，长鑫存储将在2021年进入规模量产的关键期。而随着此次合肥长鑫DRAM扩产和先进工艺研发的举动，无疑是为国产DRAM内存芯片注入了一针强心剂。值得一提的是，继2020年底完成一轮百亿融资后，2021年初，市场再度传出长鑫存储“谋划”二轮超百亿融资。

尽管合肥长鑫脚步加速，但仍旧要面对国际大厂的高墙耸立。据Tom Coughlin的市场报告显示，2020年，长鑫每月交付DRAM晶圆约占全球DRAM晶圆总量的2.9%。尽管长鑫投片量在提升，但与三星、海力士、美光三大巨头的份额相比，作为DRAM新兵的长鑫存储差距仍然显眼。

此外，虽然长鑫一直在投入并增加产能，但DRAM巨头同样没有停下脚步。三星在2020年投资了数十亿美元用于扩充存储产能；海力士表示，已在韩国耗资超30亿美元完成了新DRAM生产基地建设，在国内工厂增加了DRAM产能；此外，南亚科也宣布将投资107亿美元建立新的10nm级DRAM晶圆厂，该晶圆厂预计将于2024年开始商用，第一阶段的月产能为1.5万片。

另外在DRAM技术上，与三星等一线DRAM厂商相比，长鑫存储的技术要落后很多。据悉，1z nm（15nm）是目前三星量产DRAM时的最先进技术，三星已计划在2021年下半年采用14nm节点极紫外线（EUV）光刻技术进行量产，其中15nm技术用于生产单层DRAM，14nm用于生产多层DRAM。海力士计划在2021年底完成第四代10nm级（1a）EUV节点技术开发并进入量产的目标，至于最早进入1a DRAM量产阶段的美光，也计划从2021年起将EUV光刻技术应用于1a DRAM，2022年将EUV光刻技术应用于更新一代的1β DRAM。

显而易见的是，在DRAM巨头厂商争相发力下，合肥长鑫当前的举动不会对当前DRAM市场格局产生什么影响。不过，也有业内人士认为，受益于长鑫存储DRAM推出，国内存储器可以实现中低端领域的部分替代，对国际DRAM存储巨头的市场策略具有一定的平衡作用。尽管当前格局难以挑动，但在存储国产替代的路上，合肥长鑫正一步一脚努力前行。

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